高温电阻解决了消费类产品中的散热和成本问题
 
      2009年5月22日,上海–富士通微电子(上海)有限公司今日宣布推出两款新型消费类FCRAM(*1)存储器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545).这两款芯片支持DDR SDRAM接口,是业界首推的将工作温度范围扩大至125°C的芯片.富士通微电子今日起开始提供这两款新型FCRAM产品.这两款低功耗存储器适用于数字电视、数字视频摄像机等消费类电子产品的系统级封装(SiP).

      如果SiP架构上的片上系统(SoC)整合了新型FCRAM芯片,当SiP工作速度提高导致工作温度上升时,存储器也不会对操作造成影响或限制,客户将从中受益.此外,它还具有其它优势,如可降低产品设计开发难度,节省电路板空间,并减少元器件数量(详细信息请参照附件1).

      目前,市场对消费类数字产品的性能、速度和开发成本的要求越来越高.为满足这些需求,就会更多地使用SiP,要求它同时整合带有SoC的存储器芯片.使用SiP可以减少元器件数量并节省电路板空间,进而能够降低系统成本.使用SiP还能简化高速存储器开发或采取降噪措施等设计.

      图1: 存储器SiP上的散热设计方案比较:
      显示使用新型FCRAM的优越性

      如图1所示,迄今为止,使用传统的存储器,SiP发挥受限,而使用新型FCRAM产品就可以解决这一问题.图1(a)介绍的SiP架构上使用的高性能SoC功耗较高,产生的热量可使SiP温度上升到105 °C.因为SoC的最高温度额定为125 °C,所以操作能够正常进行,但使用传统的存储器仅可在最高为95 °C的温度环境下运行,因此不能使用这一SiP架构.

      要在SiP上使用传统的存储器,另外一种方法是添加类似散热器等散热器件.如图1(b)所示,这一方案可使SiP温度降低到90°C,器件可以运行,但是增加了成本和电路板占用面积.因此,许多一直在研究SiP的客户希望扩大存储器的工作温度范围.

      富士通微电子正是应对这一需求而开发出了最高工作温度为125 °C 的512 Mb和256 Mb消费类FCRAM产品.如1(c)所示,使用额定为125°C的FCRAM,即使整合一颗高功耗的SoC,SiP也能运行良好,无需添加散热器.这就解决了使用额定为95 °C的传统存储器而需要采取散热措施而引发的成本增加问题.

      而且,即使在125°C的环境下运行,这些新型FCRAM产品也可以提供传统DDR SDRAM存储器两倍的数据传输率,同时还能保持低功耗.事实上,与传统的DDR2 SDRAM存储器相比,新型512 Mb FCRAM能降低功耗达50%.所以,这些新型FCRAM可以减少消费类电子产品的存储器的二氧化碳排放达50%(详细信息请参照附件2).

      富士通微电子将继续为SiP开发具备必要性能和功能的产品,从而为消费类电子产品提供价值和成本最优的解决方案.

      样片提供

      产品 产品型号 提供时间
      512 Mb FCRAM MB81EDS516545 2009年5月19日起
      256 Mb FCRAM MB81EDS256545 2009年5月19日起

     销售目标
     每月共销售一百万片

     产品特性
     1. 业界首推在125 °C下运行的芯片
     这些新型FCRAM最高工作温度为125 °C,与传统SDRAM存储器最高85°C或者95°C的温度规格相比,提高了系统内的允许功耗.因此,可以实现SiP解决方案,而这在以前是不可能的,例如:高性能数字消费类电子产品所需的高功耗SoC若整合了存储器会导致器件过热.而且该产品可以使用低成本封装,无需高温规格.

     2. 低功耗
     通过将总线宽扩大至64 bit、减少工作频率和使用终端电阻(*2),与两个使用16 bit总线宽的传统DDR2 SDRAM存储器芯片相比,新型FCRAM可降低功耗最高达50%.这些新型FCRAM可以减少消费类电子产品的存储器的二氧化碳排放达50%.

     3. 高速数据带宽
     工作温度是125 °C时,新型FCRAM通过使用64 bit总线宽并在最高工作频率为200 MHz运行时,可以提供3.2 GB/秒的数据传输率,这是传统的DDR2 SDRAM速度的两倍.若工作温度不高于105 °C(≤ 105 °C),在216 MHz的工作频率下运行时,产品的数据传输率将增加到3.46 GB/秒.

      附件
      512 Mb FCRAM和256 Mb FCRAM芯片的主要规格

      术语和注释
      *1. 消费类FCRAM:FCRAM(快速循环随机存储器)是富士通微电子具有自主知识产权的RAM内核系统,以高速度和低功耗出名.消费类FCRAM是指使用行业标准低功耗SDRAM接口的FCRAM内核,最适宜于消费类电子产品.

      *2. 终端电阻:终端电阻是指在电线或信号终端跨接的电阻,用于消除信号反射带来的干扰,但是其功耗较高.DDR2 SDRAM的终端电阻嵌入到芯片(ODT:片内终结).

      更多信息,请浏览:
      富士通微电子株式会社FCRAM产品网站:http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/

      -完-

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      富士通微电子(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售、市场及现场技术支持服务.
      富士通微电子(上海)有限公司的产品包括专用集成电路(ASIC)、单片机(MCU)、专用标准产品(ASSP)/片上系统(SoC)和系统存储芯片,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并应用于广泛领域.在技术支持方面,分布于上海、香港及成都的IC设计中心和解决方案设计中心,通过与客户、设计伙伴、研发资源及其他零部件供应商的沟通、协调,共同开发完整的解决方案,从而形成一个包括中国在内的完整的亚太地区设计、开发及技术支持网络.欲了解更多信息,请访问网站:http://cn.fujitsu.com/fmc

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      附件

      512 Mb FCRAM-MB81EDS516545的主要规格

      存储器架构 2M word × 64 bit × 4 banks
      电压 1.7 V ~ 1.9 V
      接口 低功耗DDR SDRAM (CMOS)
      工作温度范围(结温) -10 ℃ ~ +125 ℃
      突发工作频率 最高:105 °C 216 MHz(最高)
      最高:125 °C 200 MHz(最高)
      数据传输率 最高:105 °C 3.46 GB/秒(最高)
      最高:125 °C 3.2 GB/秒(最高)

      256 Mb FCRAM-MB81EDS256545的主要规格

      存储器架构 1M word × 64 bit × 4 banks
      电压 1.7 V ~ 1.95 V
      接口 低功耗DDR SDRAM (CMOS)
      工作温度范围(结温) -10 °C ~ +125 °C
      突发工作频率 最高:105 °C 216 MHz(最高)
      最高:125 °C 200 MHz(最高)
      数据传输率 最高:105 °C 3.46 GB/秒(最高)
      最高:125 °C 3.2 GB/秒(最高)

       附件1

      附件2